宾州州立大学开发氮化镓半导体

宾州州立大学的研究团队成功开发出一种能够在高达800℃运行的氮化镓（GaN）半导体，优势在于其宽能带隙（3.4 eV），通过在氮化镓上方添加铝栅极，形成高电子迁移率（HEMT）结构，可提高晶体管的响应速度和电流存储能力。目前该材料在800℃下的持续运行时间约为一小时，这一突破可能对太空探索、喷气发动机和制药过程等应用至关重要。（来源：科创板日报）